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        PSHI 0423
        发表于:2019-03-11 09:57 分享至:
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        双通道大功率IGBT 驱动核


        主要参数(Ta=25℃ )
        VS 供电电源电压+15 V
        PDC/DC 隔离电源总功率6 W
        Visol 隔离电压(1 minute. AC) 5 kV
        VCES IGBT 集电极- 发射极电压1700 V
        IoutAV 每通道平均电流100 mA
        IoutPEAK 每通道峰值电流±25 A
        Qout/pulse 每脉冲输出电荷±10* μC
        VG(ON/OFF) 门极电压+15/-9 V
        dv/dt 电压变化率75 kV/μS
        td(I/O) 信号转换延时650 nS
        tmd 窄脉冲抑制400 nS
        td(err) 故障响应延时110 nS
        fSW Max. 最高频率100 kHz
        Top 工作温度-40℃ ...+80℃

        特点

        ●集成DC/DC 隔离电源
        ●纳米晶变压器隔离
        ●动态监测VCEsat 提供短路( 过流) ?;?/div>
        ●欠压?;ぜ懊偶缪辜嗫?/div>
        ●故障“软关断”
        ●互锁及死区
        ●输出电荷可自由扩充,适合并联应用
        ● 0--100% 占空比
        ●表面爬电距离43mm

        应用

        桥式电路
        变频器
        逆变器
        感应加热
        EV
        APF
        SVG
        高频电源


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